Karakteristik pwodwi
1. Segondè-Koneksyon elektrik presizyon
Bay koneksyon stab chip-a-tèstè atravè sond/priz nivo micron-, asire transmisyon siyal san pèt.
2. Optimizasyon Entegrite Siyal
Itilize enpedans-wotaj kontwole, pwoteksyon, ak materyèl ki ba-bri pou minimize distòsyon siyal ak diafonia.
3. Multi-pwotokòl konpatibilite
Sipòte koòdone gwo -vitès (pa egzanp, PCIe, DDR, USB) ak tès siyal melanje-(analòg/dijital/RF).
4. Kapasite Jesyon tèmik
Entegre dissipateur chalè/kanal refwadisman likid pou estabilize tanperati chip pandan tès la (-55 degre a +200 degre).
5. Configurability & Modularite
Pèmèt pin remap ak tablo chaj ka ranplase pou divès pakè (BGA, QFN, CSP, elatriye).
6. Segondè fyab & durability
Withstands >1 milyon ensèsyon; anti-materyèl mete garanti lonjevite.
7. Entegrasyon tès otomatik
Entegre san pwoblèm ak ATE pou mezi parametrik ak analiz done gwo-vitès.
8. Versatility aplikasyon
Kouvri sonde wafer (kat sond), tès final (tablo chaj), ak tès nivo sistèm{0}}(tablo SLT).
9. Maksimize efikasite tès
Pèmèt tès paralèl nan miltip chips, diminye tan sik pwodiksyon ak pri majinal.
Pwodwi aplikasyon jaden
Wafer-Nivo
Kat sonde kontakte kousinen wafer nan echèl mikron
01
Tès final la
Chaje ankadreman koòdone ATE ak chips pake
02
Sistèm-Nivo
Validasyon estabilite ki baze sou OS-
03
Fyab
Tès estrès anviwònman ekstrèm: Tanperati monte bisiklèt (-65 degre ~ 200 degre), ak boule/imidite/Vibration.
04
Vètikal-Espesifik
Otomobil: Sètifikasyon AEC-Q100
RF/HSIO: 5G/PCIe siyal entegrite
Memwa: Tès paralèl mas
05
Baj popilè: semi-conducteurs tès tablo, Lachin semi-conducteurs tès tablo manifaktirè yo, ke founisè, faktori
